トンネル磁気抵抗効は、トンネル磁気接合素子により絶縁体にトンネル電流が流れ、抵抗値が変化する現象。MRAM応用や、磁気記録の読み取り方式により、大幅な素子の微細化で、HDDの超高密度記録化が可能。

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