シリコン と炭素 で構成される化合物半導体材料。シリコンに対し絶縁破壊電界強度が10倍、バンドギャップが3倍と優れている。p型、n型の制御が広い範囲で可能で、高温、高線量下使用できるパワーデバイス用材料として使われる。シリコンに比べ熱伝導率が高く、他の半導体の基板の原料であるウェーハとして実用化もされている。

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